- 以Vishay SiE848DF的数据手册图作为参考示例，这是一款采用 PolarPAK® 封装的 N 沟道 30 V 沟槽功率 MOSFET。MOSFET 的封装限制为 60A 和 25°C。阻断电压是多少？阻断电压 BVDSS 是可以施加到 MOSFET 的最大电压。当驱动感性负载时，这包括施加的电压加上任何感性感应电压。对于感性负载，MOSFET 两端的电压实际上可以是施加电压的两倍。MOSFET 的雪崩特性是什么？这决定了 MOSFET 在雪崩条件下可以承受多少能量。如果超过最大漏源电压并且电流冲
- 关键字：
电源管理 MOSFET 功率MOSFET
- 全社会都在积极推动低碳化转型，而低碳化的背后其实是电气化。在 新型电气能源架构 中，相比于从前，一次能源到终端用户的 能源转换次数增多 。虽然可再生能源是免费的，但是这种多层级的能源转换，每一步都会带来一定的能耗损失，因此 追求更高效的能源转化效率至关重要 。SiC正是功率半导体的 能效提升技术 ，它的出现满足了低碳化时代两大全新的市场需求：1能效创新： SiC技术在光伏、储能、数据中心等大功率电源管理领域，能够显著
- 关键字：
英飞凌 碳化硅 沟槽栅技
- 近日，清纯半导体和VBsemi（微碧半导体）分别推出了其第三代碳化硅（SiC）MOSFET产品平台，标志着功率半导体技术在快充效率、高功率密度应用等领域取得了重大突破。01清纯半导体推出第3代SiC MOSFET产品平台4月21日，清纯半导体官微宣布，推出第3代碳化硅（SiC）MOSFET技术平台，该平台首款主驱芯片（型号：S3M008120BK）的常温导通电阻低至8mΩ，比导通电阻系数Rsp达到2.1
mΩ·cm²，处于国际领先水平。source：清纯半导体（图为清纯半导体1、2、3代产品比电阻Rs
- 关键字：
清纯半导体 微碧半导体 第3代 SiC MOSFET
- 电能与智能是现代社会发展的两大主题，电能如同工业文明的血液系统，提供物理世界运行的能量基础，智能恰似数字文明的神经网络，构建数字空间的决策中枢。作为电能转换的智能开关，功率半导体在构建现代社会能源体系中发挥着关键性的枢纽作用，通过对电压、电流和频率的精准调控，功率半导体可以有效地提升电能转换效率。经过七十年的发展，功率半导体经历了两次大的技术升级，第一次是以硅基IGBT 和CoolMOS为代表的第二代功率器件替代以可控硅晶闸管和MOSFET为代表的第一代功率器件，由于同属硅基材料体系，第二代功率器件兼具成
- 关键字：
202504 碳化硅 电动汽车
- 如今所有东西都存储在云端，但云究竟在哪里？答案是数据中心。我们对图片、视频和其他内容的无尽需求，正推动着数据中心行业蓬勃发展。国际能源署 (IEA) 指出，[1]人工智能 (AI) 行业的迅猛发展正导致数据中心电力需求激增。预计在 2022 年到 2025 年的三年间，数据中心的耗电量将翻一番以上。 这不仅增加了运营成本，还给早已不堪重负的老旧电力基础设施带来了巨大的压力，亟需大规模的投资升级。随着数据中心耗电量急剧增加，行业更迫切地需要能够高效转换电力的功率半导体。这种需求的增长一方面是为了降低运营成本
- 关键字：
SiC MOSFET AI数据中心 电源转换能效
- 安森美（onsemi）推出的碳化硅共源共栅场效应晶体管（SiC JFET cascode）在硬开关与软开关应用场景中展现出显著技术优势。其官方发布的《SiC JFET共源共栅应用指南》系列文档，通过三篇技术解析深入剖析器件特性，本文作为开篇之作，将聚焦阐释cascode结构的核心机理。该指南不仅系统阐述共源共栅器件的拓扑架构，更对关键电参数、独特性能优势及设计支持体系进行全方位解读，为功率半导体开发者提供从基础理论到实践应用的完整技术指引。Cascode简介碳化硅结型场效应晶体管（SiC JFET）相比其
- 关键字：
安森美 碳化硅 共源共栅 cascode
- _____为了减缓气候变化，人类在非化石燃料和可再生能源解决方案方面取得了显著进展，交通领域的电气化进程也在加速推进。这些新兴技术大多对电源提出了更高的要求，尤其是对大功率的需求。例如，电动汽车（EV）的电池包电压已高达900 VDC以上，容量可达95kWh；快充和超充系统功率更是轻松突破240kW。氢燃料电池堆作为另一种汽车供电技术，其功率可超过500kW，电流高达1000A。市场需求下的挑战一方面，我们需要摆脱化石燃料，另一方面，全球能耗又在不断攀升。服务器农场就是一个能源需求更高的例子。为了有足够的
- 关键字：
碳化硅 碳化硅MOSFET
- Enphase Energy采用全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司（FSE代码：IFX / OTCQX代码：IFNNY）的 600 V CoolMOS™ 8高压超结（SJ）MOSFET产品系列，简化了系统设计并降低了装配成本。Enphase Energy是全球能源技术公司、基于微型逆变器的太阳能和电池系统的领先供应商。通过使用600 V CoolMOS™ 8 SJ，Enphase显著降低了其太阳能逆变器系统的 MOSFET 内阻（RDS(on)），进而减
- 关键字：
英飞凌 Enphase CoolMOS MOSFET
- Nexperia正式推出一系列性能高效、稳定可靠的工业级1200 V碳化硅(SiC) MOSFET。该系列器件在温度稳定性方面表现出色，采用创新的表面贴装 (SMD) 顶部散热封装技术X.PAK。X.PAK封装外形紧凑，尺寸仅为14 mm ×18.5 mm，巧妙融合了SMD技术在封装环节的便捷优势以及通孔技术的高效散热能力，确保优异的散热效果。此次新品发布精准满足了众多高功率（工业）应用领域对分立式SiC MOSFET不断增长的需求，该系列器件借助顶部散热技术的优势，得以实现卓越的热性
- 关键字：
Nexperia SiC MOSFET
- 商用的Si MOSFET耐压普遍不超过900V，而SiC拥有更高的击穿场强，在结构上可以减少芯片的厚度，从而较大幅度地降低MOSFET的通态电阻，使其耐压可以提高到几千伏甚至更高。本文带你了解其静态特性。1. 正向特性图1显示了SiC MOSFET的正向通态特性。由于MOSFET是单极性器件，没有内建电势，所以在低电流区域，SiC MOSFET的通态压降明显低于Si IGBT的通态压降；在接近额定电流时，SiC MOSFET的通态压降几乎与Si IGBT相同。对于经常以低于额定电流工作的应用，使用SiC
- 关键字：
三菱电机 SiC MOSFET
- 简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。图 1：硅器件（Si）与碳化硅（SiC）器件的比较什么是碳化硅Cascode JFET技术？众多终端产品制造商已选择碳化硅技术替代传统硅技术，基于双极结型晶体
- 关键字：
碳化硅 Cascode
- 简介电力电子器件高度依赖于硅（Si）、碳化硅（SiC）和氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）等半导体材料。虽然硅一直是传统的选择，但碳化硅器件凭借其优异的性能与可靠性而越来越受欢迎。相较于硅，碳化硅具备多项技术优势（图1），这使其在电动汽车、数据中心，以及直流快充、储能系统和光伏逆变器等能源基础设施领域崭露头角，成为众多应用中的新兴首选技术。特性Si4H-SiCGaN禁带能量（eV）1.123.263.50电子迁移率(cm2/Vs)14009001250空穴迁移率(cm2/Vs)600100200
- 关键字：
碳化硅 Cascode JFET 碳化硅 安森美
- 全球知名半导体制造商ROHM（总部位于日本京都市）面向企业级高性能服务器和AI服务器电源，开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。新产品共3款机型，包括非常适用于企业级高性能服务器12V系统电源的AC-DC转换电路二次侧和热插拔控制器（HSC）*4电路的“RS7E200BG”（30V），以及非常适用于AI服务器48V系统电源的AC-DC转换电路二次侧的“RS7N200BH（80V）”和“RS7N160BH（80V）”。随着高级数据处理技术的进步和数字化转型的加速，
- 关键字：
ROHM AI服务器 服务器电源 MOSFET
- 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）近日宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“TLP5814H”。该器件具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提供有源米勒钳位功能。今日开始支持批量供货。在逆变器等串联使用MOSFET或IGBT的电路中，当下桥臂[2]关闭时，米勒电流[1]可能会产生栅极电压，进而导致上桥臂和下桥臂[3]出现短路等故障。常见的保护措施有，在栅极关闭时，对栅极施加负电压。对于部分SiC MOSFET而言，具有比硅（Si
- 关键字：
东芝 SiC MOSFET 栅极驱动 光电耦合器
- 服务多重电子应用领域、全球排名前列的半导体公司意法半导体 (STMicroelectronics，简称ST) ，和中国化合物半导体龙头企业（涵盖LED、碳化硅、光通信、RF、滤波器和氮化镓等产品）三安光电近日宣布，双方在重庆设立的8英寸碳化硅晶圆合资制造厂（即“安意法半导体有限公司”，以下简称安意法）现已正式通线。这一里程碑标志着意法半导体和三安正朝着于2025年年底前实现在中国本地生产8英寸碳化硅这一目标稳步迈进，届时将更好地满足中国新能源汽车、工业电源及能源等市场对碳化硅日益增长的需求。三安光电和意法
- 关键字：
安意法 意法半导体 碳化硅 碳化硅晶圆
碳化硅 mosfet介绍
您好，目前还没有人创建词条碳化硅 mosfet!
欢迎您创建该词条，阐述对碳化硅 mosfet的理解，并与今后在此搜索碳化硅 mosfet的朋友们分享。
创建词条
关于我们 -
广告服务 -
企业会员服务 -
网站地图 -
联系我们 -
征稿 -
友情链接 -
手机EEPW
Copyright ©2000-2015 ELECTRONIC ENGINEERING & PRODUCT WORLD. All rights reserved.
《电子产品世界》杂志社 版权所有 北京东晓国际技术信息咨询有限公司
京ICP备12027778号-2 北京市公安局备案：1101082052 京公网安备11010802012473
