山东大学和华为技术有限公司在中国使用氟（F）离子注入端接（FIT）在全垂直氮化镓（GaN）硅基硅（Si）沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）中实现了1200V击穿性能[Yuchuan 马等人，IEEE Electron Device Letters，2025年7月8日在线发表]。通常，台面蚀刻端接 （MET） 用于电隔离 GaN 半导体器件。然而，这会导致相对尖锐的拐角，电场往往会拥挤，导致过早击穿。MET-MOS全垂直MOSFET的击穿电压约为650V。功率氮化镓器件正在与碳化硅 （SiC）
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1200V 全垂直 硅基氮化镓 MOSFET
全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日推出了采用顶部散热（TSC）Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200 V G2。这款新型半导体器件能够提供更加出色的热性能、系统效率和功率密度，专为应对工业应用的高性能和高可靠性要求而设计，例如电动汽车充电机、光伏逆变器、不间断电源、电机驱动和固态断路器等。采用Q-DPAK封装的CoolSiC™ MOSFET 1200V G2这款CoolSiC 1200 V G2所采用的技术相较于上一代产品有显著的提升，可在导通电阻（
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英飞凌 CoolSiC MOSFET 1200V
继推出首批基于 SuperQ 的芯片之后，此举标志着自 25 多年前超级结技术以来，硅 MOSFET 架构的首次重大进步。宾夕法尼亚州里海谷，2025 年 7 月 31 日 – iDEAL Semiconductor 是一家专注于实现突破性效率的无晶圆厂功率半导体公司，该公司宣布将与电力和射频专家 Richardson Electronics 合作。根据该协议，iDEAL 将获得 Richardson Electronics 的设计团队和销售专家的支持，以扩展其基于公司新型专利、最先进 SuperQ 技术
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iDEAL Richardson SuperQ MOSFET
固态继电器 （SSR） 是各种控制和电源开关应用中的关键组件，涵盖白色家电、供暖、通风和空调 （HVAC） 设备、工业过程控制、航空航天和医疗系统。固态隔离器利用无芯变压器技术在 SSR 的高压侧和低压侧之间提供隔离。基于 CT 的固态隔离器 （SSI） 包括发射器、模块化部分和接收器或解调器部分。每个部分包含一个线圈，两个线圈由二氧化硅 （SiO2） 介电隔离栅隔开（图 1）。磁耦合用于在两个线圈之间传输信号。该技术与标准CMOS处理兼容，可用于分立隔离器或集成栅极驱动器IC。图 1.分立 SSI 中使
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固态隔离器 MOSFET IGBT 优化SSR
随着人工智能（AI）快速发展与万物电气化进程加速，市场对更高的电源效率与可靠性的需求持续增长。Microchip Technology Inc.（微芯科技公司）近日宣布与全球电源管理与智能绿色解决方案领导者台达电子工业股份有限公司（Delta Electronics, Inc.）（以下简称“台达电子”）签署全新合作协议。双方将携手在台达设计中应用Microchip的mSiC™产品与技术，通过双方合作加速创新型碳化硅（SiC）解决方案、节能产品及系统的开发，助力构建更可持续的未来。Microchip负责高功
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Microchip 台达 碳化硅 SiC 电源管理
iDEAL Semiconductor的SuperQ™技术现已全面量产，首款产品为150V MOSFET。同时，一系列200V MOSFET产品也已进入送样阶段。SuperQ是过去25年来硅基MOSFET设计领域的首次重大突破，在硅功率器件中实现了前所未有的性能与效率提升。该架构突破了硅材料在导通与开关方面的物理瓶颈，将n型导电区域扩大至高达95%，并将开关损耗较竞争产品降低高达2.1倍。该结构不仅改善了器件的电阻与功率损耗，同时保留了硅材料的诸多优势，包括高强度、量产能力强以及在175°C结温下的可靠性
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iDEAL MOSFET SuperQ
几乎所有的书籍资料，在讲解MOSFET的时候，都喜欢先从微观结构去分析MOSFET基于半导体特性的各种结构，然后阐述这些结构导致其参数的成因。但是这种方式对于物理基础较弱的应用型硬件工程师是非常不友好的，导致大家看了大量的表述没有理解，没有汲取到营养。各种三维、二维的图形，各式各样，也不统一。本章节，我们从应用的角度，来看我们选择一个开关的器件，当选择了一个MOSFET之后，他并不是一个完全理想的开关器件。通过其不理想的地方，理解他的一些关键参数。后续的内容，我们再通过微观结构去理解一下导致这些参数的原因
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选型指南 MOSFET 无源器件
7月9日，深圳基本半导体股份有限公司子公司——基本封装测试（深圳）有限公司完成工商变更登记，公司注册资本从1000万元大幅增至2.1亿元人民币，由母公司基本半导体和深圳市投控基石新能源汽车产业私募股权投资基金合伙企业（有限合伙）共同注资。此举标志着基本半导体在车规级碳化硅领域的战略布局又迈出重要一步，为后续研发创新和产能扩充奠定坚实基础。战略资本加持 助力新能源汽车产业发展本次增资得到了深圳市投控基石新能源汽车产业基金的战略支持，是对基本半导体在新能源汽车功率器件领域技术积累和市场优势的充分认可。该基金是
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基本半导体 碳化硅 车规级
NCP51752是隔离单通道栅极驱动器系列,源极和吸收峰电流分别为+4.5
A/-9A。 它们设计用于快速切换以驱动功率MOSFET和SiC MOSFET功率开关。
NCP51752提供短而匹配的传播延迟。为了提高可靠性、dV/dt免疫力，甚至更快地关闭，NCP51752具有嵌入式负偏置轨机制在GND2和VEE引脚之间。 本用户指南支持NCP51752的评估板。 它应该与NCP51752数据表以及onsemi的应用说明和技术支持团队一起使用。 本文档描述了孤立单体的拟
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onsemi NCP51752 隔离式 SiC MOSFET 闸极驱动器 评估板
在几乎所有电机驱动、电动汽车、快速充电器和可再生能源系统中，都会配备低功耗辅助电源。虽然相比于主要的功率级，此类电源通常受到的关注较少，但它们仍是帮助系统高效运行的关键组成部分。提高系统可靠性、减小系统尺寸以及缩减系统成本，同时最大限度地降低风险并支持多源采购——设计人员不断面临这些经常相互矛盾的挑战。Wolfspeed 推出的工业级 C3M0900170x 和获得车规级认证 (AEC-Q101) 的 E3M0900170x 碳化硅 MOSFET 产品系列，可在 20 至 200 W 范围内增强辅助电源的
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Wolfspeed MOSFET 辅助电源系统
之前两篇文章我们分别介绍了CoolSiC™ MOSFET G2的产品特点及导通特性 （参考阅读： CoolSiC™ MOSFET Gen2性能综述 ， CoolSiC™ MOSFET G2导通特性解析 ） ，今天我们分析一下在软开关和硬开关两种场景下，如何进行CoolSiC™ MOSFET G2的选型。G2在硬开关拓扑中的应用除了R DS(on) ，开关损耗在SiC MOSFET的选型中也扮演着非常重要的角色。因为SiC往往工
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英飞凌 MOSFET
近日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）宣布完成D轮融资，融资金额达1.5亿元人民币。本轮融资由中山火炬开发区科创产业母基金与中山金控联合投资，资金将主要用于碳化硅功率器件的技术研发、产能扩张以及市场拓展。基本半导体成立于2016年，是一家专注于碳化硅功率器件研发与制造的高新技术企业。其核心产品包括1200V/20A JBS碳化硅二极管、1200V平面栅碳化硅器件以及10kV/2A SiC PiN二极管等。这些产品以低损耗、高频率等优势，广泛应用于电动汽车、轨道交通、光伏逆变器和航空航天等领
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基本半导体 碳化硅
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，搭载了罗姆第4代SiC MOSFET裸芯片的功率模块，已应用于丰田汽车公司（TOYOTA MOTOR CORPORATION.，以下简称“丰田”）面向中国市场的全新跨界纯电动汽车（BEV)“bZ5”的牵引逆变器中。“bZ5”作为丰田与比亚迪丰田电动车科技有限公司（以下简称“BTET”）、一汽丰田汽车有限公司（以下简称“一汽丰田”）联合开发的跨界纯电动汽车，由一汽丰田于2025年6月正式发售。此次采用的功率模块由罗姆与正海集团的合资企业——上海海姆希科
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罗姆 SiC MOSFET 丰田 纯电车型
在10kW-50kW中高功率应用领域，SiC MOSFET分立器件与功率模块呈现并存趋势。分立方案凭借更高设计自由度和灵活并联扩容能力突围——当单管功率不足时，只需并联一颗MOSFET即可实现功率跃升，为工业电源、新能源系统提供模块之外的革新选择。然而，功率并非是选用并联MOSFET的唯一原因。正如本文所提到的，并联还可以降低开关能耗，改善导热性能。考虑到热效应对导通损耗的影响，并联功率开关管是降低损耗、改善散热性能和提高输出功率的有效办法。然而，并非所有器件都适合并联， 因为参数差异会影响均流特性。本文
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意法半导体 SiC MOSFET
据路透社援引彭博社报道，在关于即将破产的传闻出现近一个月后，Wolfspeed 现在正面临一次重大动荡。由 Apollo 全球管理公司领导的债权人正准备根据破产计划接管公司。报道称，这家陷入困境的碳化硅巨头预计将在几天内公布一项预包装破产计划——旨在迅速削减数十亿美元的债务。在锁定重组协议后，Wolfspeed 将要求债权人就计划进行投票，然后正式申请第 11 章保护，报道补充道。由意法半导体领导的对头将受益根据 TrendForce 的观察，由于破产程序的不确定性，Wolfspeed 的 Si
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碳化硅 意法半导体 功率器件
碳化硅 mosfet介绍
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